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1200℃箱式气氛炉 2020-05-15
这款气氛箱式炉以高电阻质合金丝0Cr27Al7Mo2为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段...
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1700℃氢气管式炉 2020-05-15
这款1700℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移...
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1600℃氢气管式炉 2020-05-15
这款1600℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移...
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1400℃氢气管式炉 2020-05-15
这款1400℃氢气管式炉以质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移...
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1200℃滑动PECVD 2020-05-15
PECVD系统由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多...
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1200℃PECVD管式炉 2020-05-15
PECVD系统由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多...
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1200℃PECVD回转炉 2020-05-15
PECVD系统由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多...
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1200℃PECVD管式炉 2020-05-15
PECVD系统由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多...
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TS-PE 2020-05-15
PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012c...
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1700℃坩埚气氛炉 2020-05-15
这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发...
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1600℃坩埚气氛炉 2020-05-15
这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发...
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1400℃真空气氛炉 2020-05-15
真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用...
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1400℃真空气氛炉 2020-05-15
真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用...
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1200℃真空气氛炉 2020-05-15
真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用...
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数字式真空计 2020-05-15
皮拉尼式电阻式真空计，并带有控制功能 测量范围为10 -4 -1000 Torr. 在测量腔体...
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热电偶 2020-05-15
热电偶（thermocouple）是温度测量仪表中常用的测温元件，它直接测量温度，并把温度信...
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硅钼棒 2020-05-15
硅钼棒阻性电热元件是一种以二硅化钼为基础制成的耐高温、抗氧化的电阻发热元件。在高...
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硅碳棒 2020-05-15
高温炉用硅碳棒规格齐全，有粗端型、槽型、山型和双温区，等直径硅碳棒五大系列三百多...
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温控仪表 2020-05-15
FP93日本岛电程序温控器 电炉型号：FP93 希曼顿独家代理日本岛电FP93程序控制温控表...
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真空法兰 2020-05-15
适用于管式炉炉管密封不锈钢法兰。直径60、80、100等...
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