PECVD管式炉:1700度高温管式炉+混气系统
PECVD型等离子增强化学气相沉积系统管式炉
STR PECVD管式炉系统由高温管式炉、高真空扩散泵/分子泵系统,多通道高精度数字质量流量控制系统,自动压强控制系统等组成。可实现本底真空达0.001—0.0001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验, 适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长等场所。
PECVD管式炉主要功能特点:
1、 真空系统可根据使用要求选择我司扩散泵机组或分子泵机组;
2、 可配合压强控制仪控制气体压力实现负压的精准控制;
3、 数字质量流量控制系统是由多路质量流量计,流量显示仪等组成,实现气体的流量的精密测量和控制;
4、 每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全可靠。
5、 采用水冷KF快速法兰密封,装卸方便快捷;
6、 管路采用卡套连接,不漏气;
7、 超温、过压时,自动切断加热电源及流量计进气,保证设备及实验的安全性。
PECVD管式炉主要技术参数:
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				 STR -1700度 高温管式炉  | 
			
				 控温方式  | 
			
				 采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制50段升降温程序。  | 
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				 加热元件  | 
			
				 1700型质硅钼棒  | 
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				 工作电源  | 
			
				 AC220V 50Hz/60Hz  | 
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				 额定功率  | 
			
				 6kw  | 
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				 炉管材质  | 
			
				 99瓷氧化铝刚玉管  | 
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				 炉管尺寸  | 
			
				 Φ60/80-100*-1000mm  | 
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				 工作温度  | 
			
				 ≤1600℃  | 
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				 设计温度  | 
			
				 1650℃  | 
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				 恒温精度  | 
			
				 ±1℃  | 
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				 升温速度  | 
			
				 ≤10℃/min  | 
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				 测温元件  | 
			
				 B型热电偶  | 
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				 密封方式  | 
			
				 不锈钢水冷KF法兰挤压密封  | 
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				 ZK 真空系统  | 
			
				 ZK-F  | 
			
				 ZK-K  | 
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				 真空范围  | 
			
				 0.1-0.001Pa  | 
			
				 0.1-0.01Pa  | 
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				 极限真空  | 
			
				 5.0*10^-5Pa  | 
			
				 5.0*10^-4Pa  | 
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				 产品配置  | 
			
				 双级旋片真空泵+分子泵  | 
			
				 双级旋片真空泵+扩散泵  | 
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				 冷却方式  | 
			
				 风冷  | 
			
				 水冷  | 
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				 抽 速  | 
			
				 110L/S  | 
			
				 100L/S  | 
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				 测量方式  | 
			
				 复合真空计  | 
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				 真空规管  | 
			
				 电阻规+电离规  | 
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				 ZDC-I 压强控制系统  | 
			
				 测量范围  | 
			
				 1*10^5~1*10^-1 Pa  | 
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				 稳压(真空)范围  | 
			
				 1*10^3~1*10Pa  | 
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				 压力(稳定精度)  | 
			
				 ±3%  | 
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				 控制范围  | 
			
				 2.5*10^3~5*10^-1 Pa  | 
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				 控制精度  | 
			
				 ± 1%  | 
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 HQZ-Ⅲ 混气系统 
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				 控制方式  | 
			
				 D07-7K质量流量计,D08流量显示仪  | 
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				 流量规格(可订制)  | 
			
				 0-500SCCM /0-1SLM,  | 
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				 线 性  | 
			
				 ±1%F.S.  | 
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				 准确度  | 
			
				 ±1%F.S.  | 
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				 重复精度  | 
			
				 ±0.2%F.S.  | 
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				 响应时间  | 
			
				 ≤2sec  | 
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				 耐 压  | 
			
				 3MPa  | 
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				 气路通道  | 
			
				 3通道(根据客户需求)  | 
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				 针 阀  | 
			
				 316不锈钢  | 
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				 管 道  | 
			
				 Φ6mm不锈钢管  | 
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				 接 口  | 
			
				 SwagelokΦ6mm  | 
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pecvd什么意思?
PECVD全程等离子增强化学气相淀积; 等离子增强型化学气相沉积; 等离子体化学气相淀积; 等离子体增强化学气相沉积系统; 等离子体增强型化学气相淀积;
为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).
实验机理:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
PECVD点:
基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。
缺点如下:
1.设备投资大、成本高,对气体的纯度要求高;
2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光ontcolor="#136ec2">辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害;
3.对小孔孔径内表面难以涂层等。
例子:在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路设计后的钝化保护层,提高集成电路的可靠性。
美国NANOMASTER公司PECVD
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